Temario |
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Unidad didáctica A: Fundamentos Tema 0.- Introducción Tema 1.- Sólidos cristalinos 1.1.- Introducción 1.2.- Estructura cristalina Tema 2.- Teoría de bandas 2.1.- Introducción 2.2.- Bandas de energía 2.3.- Campos eléctricos y bandas de energía 2.4.- Clasificación de los materiales 2.5.- Dependencia de EG con la temperatura 2.6.- Propiedades de los materiales y el modelo de bandas 2.7.- Masa efectiva 2.8.- El hueco como portador de carga Tema 3.- Estadística de semiconductores 3.1.- Introducción 3.2.- Estadística de partículas en los semiconductores 3.3.- Concentración de portadores 3.4.- Semiconductores no degenerados 3.5.- Impurezas 3.6.- Introducción a los procesos de fabricación de dispositivos Tema 4.- Fenómenos de transporte de cargas 4.1.- Introducción 4.2.- Arrastre de portadores 4.3.- Difusión de portadores 4.4.- Resumen Tema 5.- Procesos de no equilibrio 5.1.- Introducción 5.2.- Inyección de portadores 5.3.- Procesos de generación y recombinación 5.4.- Efectos de los campos elevados Tema 6.- La ecuación de continuidad 6.1.- Introducción 6.2.- La ecuación de continuidad 6.3.- Inyección lateral en estado estacionario 6.4.- Portadores minoritarios en la superficie 6.5.- El experimento de Haynes-Schokley Unidad didáctica B: Dispositivos de unión Capítulo I.- Uniones Tema 7.- Homounión pn 7.1.- Introducción 7.2.- La unión pn en equilibrio 7.3.- Análisis de la zona de carga espacial 7.4.- Capacidad de vaciamiento 7.5.- Características corriente-tensión 7.6.- Respuesta transitoria 7.7.- Ruptura de la unión 7.8.- Modelo de SPICE del diodo Tema 8.- Unión metal semiconductor 8.1.- Introducción 8.2.- Diagrama de bandas de energía 8.3.- Características corriente-tensión 8.4.- Contactos óhmicos Tema 9.- Heterouniones 9.1.- Introducción 9.2.- Diagrama de bandas de energía 9.3.- Modelo básico 9.4.- Dispositivos de heterounión Capítulo II.- Transistores de efecto potencial Tema 10.- Transistor bipolar de unión (BJT) 10.1.- Introducción 10.2.- Estructura y principio de funcionamiento 10.3.- El transistor prototipo 10.4.- Estructura del transistor bipolar integrado 10.5.- Modelo de Ebers-Moll 10.6.- Fenómenos de segundo orden en el transistor bipolar 10.7.- Fenómenos de almacenamiento de carga 10.8.- Modelo de SPICE del BJT Tema 11.- Transistor bipolar de heterounión (HBT) 11.1.- Introducción 11.2.- Transistores bipolares de heterounión 11.3.- Modelo para simulación |
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