Créditos ECTS:
Horas de trabajo del alumno: 96

Horas presenciales: 6
 - Horas de clase tutarizadas (HCT): 3
 - Horas de evaluación: 3

Horas no presenciales: 90
 - Actividad independiente (HAI): 90

Idioma en que se imparte: castellano

Propiedades, funcionamiento y limitaciones de los dispositivos electrónicos y fotónicos. Modelos físicos y circuitales. Materiales y procesos tecnológicos. Tecnologías de fabricación.

La asignatura no tiene prerrequisitos. Sin embargo, dado su carácter fundamental, es muy recomendable refrescar los conocimientos básicos de matemática, física y electrónica.

1. Objetivos conceptuales
1.1 Adquirir de manera autónoma conocimientos fundamentales sobre el funcionamiento de los dispositivos electrónicos.
1.2 Conocer los modelos de funcionamiento de diodos y transistores basados en semiconductor e identificar sus limitaciones.
1.3 Conocer los procesos básicos de fabricación de dispositivos semiconductores.
1.4 Localizar las fuentes bibliográficas de nuevos conocimientos.

2. Objetivos procedimentales
2.1 Interpretar diagramas de bandas de materiales semiconductores.
2.2 Utilizar modelos eléctricos en el análisis de circuitos, conociendo sus limitaciones.
2.3 Predecir el funcionamiento cualitativo de nuevas estructuras de semiconductores.
2.4 Presentar en público resultados.

3. Objetivos actitudinales
3.1 Trabajar en equipo.
3.2 Desarrollar el espíritu crítico.
3.3 Apreciar el orden, la disciplina, el rigor, el método.
3.4 Reaccionar ante las adversidades.

La disposición Transitoria Cuarta del Reglamento de Planificación Académica de la ULPGC establece que las asignaturas de los títulos no adaptados tendrán el segundo año de su extinción una carga docente del 10% de las horas contempladas en el plan de estudios para la realización de actividades de docencia y evaluación.
Puesto que el curso 2014-2015 es el segundo año de extinción de ésta asignatura de 3 créditos de
teoría y 3 de prácticas, se impartirán 6 horas distribuidas como sigue:
a) 1,5 horas de tutoría presencial de la parte de teoría, durante las cuales se facilitará a los alumnos el seguimiento secuencial de la asignatura resolviendo dudas y proponiendo temas y ejercicios para la siguiente sesión.
b) 1,5 horas de tutoría presencial de la parte práctica durante las cuales se facilitará a los alumnos que lo deseen el seguimiento de la parte de laboratorio de la asignatura.
c) 3 horas de evaluación.

Las actividades de tutoría se realizaran en el laboratorio de Tecnología de Circuitos, perteneciente al departamento de Ingeniería Electrónica y Automática, en el recinto L101 del pabellón A de los edificios de Telecomunicación del Campus de Tafira. El calendario aparecerá publicado en el
campus virtual de la asignatura y en el tablón de anuncios de dicho laboratorio.

La evaluación se realiza atendiendo al resultado de una prueba escrita en la convocatoria oficial, donde se plantean cuestiones y/o problemas de aplicación. Las respuestas deben ser claras y precisas, penalizándose dejar alguna pregunta sin respuesta o que sea completamente errónea con el 10% de su valor máximo. No se permitirá el uso de formularios particulares ni de calculadoras programables.

Las prácticas se distribuyen en dos módulos. El primero de ellos consiste en la simulación de propiedades básicas de semiconductores y dispositivos electrónicos, y en el segundo se resuelven problemas de aplicación de la materia.

Los módulos indicados se concretizan en las siguientes actividades:

Módulo I: Simulación de propiedades básicas de semiconductores y dispositivos electrónicos
Actividad 1.- Nivel de Fermi y la variación del dopaje en un semiconductor en equilibrio
Actividad 2.- Simulación de una unión pn de silicio
Actividad 3.- Simulación de un transistor bipolar de silicio

Módulo II: Resolución de problemas de aplicación
Actividad 3.- Fundamentos de la teoría de semiconductores
Actividad 4.- Dispositivos de unión