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Unidad didáctica A: Teoría de circuitos Tema 0 Introducción. Conceptos fundamentales 0.1. Introducción 0.2. Magnitudes y símbolos 0.2.1. Tensión. Fuentes independientes de tensión 0.2.2. Corriente. Fuentes independientes de corriente 0.2.3. Resistencias 0.2.4. Potencia 0.3. Señal 0.3.1. Parámetros 0.3.1.1. Amplitud 0.3.1.2. Valor de pico 0.3.1.3. Valor pico a pico 0.3.1.4. Valor medio 0.3.1.5. Valor eficaz 0.3.2. Formas 0.3.2.1. Continua 0.3.2.2. Sinusoidal 0.3.2.3. Cuadrada 0.3.2.4. Triangular Tema 1. Circuitos lineales 1.1. Circuitos resistivos 1.1.1. Nociones topológicas básicas 1.1.1.1. Nudo 1.1.1.2. Rama 1.1.1.3. Malla 1.1.2. Leyes de Kirchoff 1.1.2.1. de las tensiones 1.1.2.2. de las corrientes 1.1.3. Circuito equivalente 1.1.3.1. Asociación de resistencias en serie y paralelo 1.1.3.2. Divisor de tensión y corriente 1.2. Otros elementos de circuito 1.2.1. Condensadores y bobinas 1.2.1.1. Respuesta a señales continuas 1.2.1.2. Respuesta a señales variables 1.2.2. Fuentes dependientes: símbolos 1.2.2.1. de tensión 1.2.2.2. de corriente Tema 2 Teoremas relevantes 2.1. de superposición 2.2. de Thevenin 2.2.1. Tensión Thevenin 2.2.2. Resistencia Thevenin 2.3. de Norton 2.3.1. Corriente Norton 2.3.2. Resistencia Norton Unidad didáctica B: El diodo Tema 3 Concepto y modelos de funcionamiento 3.1. Estructura física, símbolo y funcionamiento 3.2. Modelo exponencial: ecuaciones trascendentes 3.3. Modelo a tramos lineales 3.3.1. Diodo ideal 3.3.2. Diodo rectificador 3.3.3. Diodo Zener 3.3.4. Resolución de circuitos con diodos 3.3.4.1. Método gráfico: punto de operación, recta de carga 3.3.4.2. Método analítico Tema 4.- Aplicaciones simples 4.1.- Recortadores 4.2.- Limitadores 4.3.- Fijadores de nivel 4.4.- Rectificadores 4.5.- Fuente de alimentación 4.5.1. Rectificador de onda completa 4.5.2. Filtro de condensador 4.5.3. Estabilizador Zener Tema 5 Modelo en pequeña señal 5.1. Concepto de circuito incremental 5.2. Parámetros del modelo 5.2.1. Resistencia en pequeña señal 5.2.2. Capacidad en pequeña señal: el varactor Unidad didáctica C: Amplificación Capítulo I.- El transistor bipolar Tema 6 Concepto y regiones de funcionamiento 6.1. Estructura física y símbolos 6.1.1. del NPN 6.1.2. del PNP 6.2. Funcionamiento del NPN 6.2.1. Zona activa directa 6.2.1.1. Condiciones de funcionamiento 6.2.1.2. Modelo circuital 6.2.2. Zona de saturación 6.2.2.1. Condiciones de funcionamiento 6.2.2.2. Modelo circuital 6.2.3. Zona de corte 6.2.3.1. Condiciones de funcionamiento 6.2.4. Zona activa inversa 6.2.4.1. Condiciones de funcionamiento 6.2.5. Consideraciones para el PNP Tema 7 Curvas características 7.1. Curvas características de entrada ideales 7.1.1. Identificación de las regiones de operación 7.2. Curvas características de salida ideales 7.2.1. Identificación de las regiones de operación 7.3. Desviaciones del modelo ideal 7.3.1. Efecto Early 7.3.2. Tensión de ruptura 7.3.3. Variación de la ganancia en corriente Tema 8 Análisis en continua: circuitos de polarización 8.1. Método gráfico 8.1.1. Punto de operación 8.1.2. Rectas de carga en continua 8.1.2.1. de entrada 8.1.2.2. de salida 8.2. Método analítico 8.3. Redes de polarización: diseño Tema 9. Modelos en pequeña señal 9.1. Capacidades asociadas entre terminales 9.2. Modelo híbrido en PI 9.2.1. Modelado del efecto Early 9.3. Modelo en T Tema 10 El transistor como amplificador: configuración en emisor común 10.1. Circuito de polarización: análisis en continua 10.2. Circuito incremental: análisis en pequeña señal 10.2.1. Ganancia en tensión, corriente y potencia 10.2.2. Impedancia de entrada y salida 10.2.3. Márgenes dinámicos 10.2.3.1. Recta de carga dinámica 10.2.3.2. Márgenes de tensión a corte y saturación 10.2.3.3. Márgenes de corriente a corte y saturación Capítulo II.- El transistor MOS Tema 11 Concepto y modelos de funcionamiento 11.1. Estructura física y símbolos 11.1.1. del MOSFET tipo N 11.1.1.1. de enriquecimiento 11.1.1.2. de vaciamiento 11.1.2. del MOSFET tipo P 11.1.2.1. de enriquecimiento 11.1.2.2. de vaciamiento 11.2. Funcionamiento del MOSFET tipo N 11.2.1. Condiciones en los terminales y corriente de drenador 11.2.1.1. Zona de corte 11.2.1.2. Zona lineal 11.2.1.3. Zona de saturación 11.2.1.4. Efecto substrato 11.2.2. Modelo circuital 11.2.3. Consideraciones para el MOSFET tipo P Tema 12 Curvas características 12.1. Característica de transferencia 12.1.1. Identificación de las regiones de operación 12.2. Característica de drenador 12.2.1. Identificación de las regiones de operación 12.3. Desviaciones del modelo ideal 12.3.1. Modulación de la longitud del canal Tema 13 Análisis en continua: circuitos de polarización 13.1. Método gráfico 13.1.1. Punto de operación 13.1.2. Recta de carga de salida en continua 13.2. Método analítico 13.3. Redes de polarización: diseño Tema 14 Modelo en pequeña señal 14.1. Capacidades asociadas entre terminales 14.2. Parámetros del modelo 14.2.1. Modelado del efecto substrato 14.2.2. Modelado de la modulación de la longitud del canal Unidad didáctica D: Charlas introductorias Tema 15 Introducción a los circuitos integrados Tema 16 Introduccion a los dispositivos optoelectrónicos |
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